Система условных обозначений отечественных интегральных микросхем

Содержание
  1. Система обозначений интегральных микросхем
  2. Система условных обозначений отечественных интегральных микросхем
  3. Условные обозначения отечественных интегральных схем
  4. Первый элемент — цифра, обозначающая группу интегральной микросхемы по конструктивно-технологическому исполнению:
  5. Второй элемент — две или три цифры (от 01 до 99 или от 001 до 999), указывающие на порядковый номер разработки данной серии ИМС
  6. Третий элемент — две буквы, обозначающие функциональную подгруппу и вид микросхемы
  7. Четвертый элемент — число, обозначающее порядковый номер разработки микросхемы в серии
  8. Для бескорпусных интегральных микросхем перед номером серии может добавляться буква Б, а после нее, или после дополнительного буквенного обозначения через дефис указывается цифра, характеризующая модификацию конструктивного исполнения:
  9. Классификация и система условных обозначений интегральных микросхем
  10. Система условных обозначений отечественных ис
  11. Радиосхемы. – Маркировка отечественных микросхем
  12. Вычислительные устройства
  13. Генераторы сигналов
  14. Детекторы
  15. Запоминающие устройства
  16. Источники вторичного питания
  17. Коммутаторы и ключи
  18. Логические элементы
  19. Многофункциональные устройства
  20. Модуляторы
  21. Наборы элементов
  22. Преобразователи
  23. Триггеры
  24. Усилители
  25. Устройства задержки
  26. Устройства селекции и сравнения
  27. Фильтры
  28. Формирователи
  29. Фоточувствительные устройства с зарядовой связью
  30. Цифровые устройства
  31. Условные обозначения интегральных схем
  32. Система условных обозначений современных типов интегральных микросхем установлена ОСТ 11073915-80
  33. Микросхема 580ВИ53
  34. Интегральные микросхемы (стр. 1 из 5)
  35. Таблица 1

Система обозначений интегральных микросхем

Система условных обозначений отечественных интегральных микросхем

Система условных обозначений отечественных интегральных микросхем

Поиск Лекций

Промышленность выпускает ИМС сериями. Серия объединяет ряд отдельных схем единых по технологическому признаку, согласованных по напряжения питания, уровням входных и выходных сигналов и конструктивному оформлению. Серии ИМС стремятся разрабатывать так, чтобы из входящих в них схем можно было построить законченное устройство.

Маркировка ИМС по ГОСТ состоит из 4 элементов.

ПРИМЕР: 140 УД 8 А или К 155 ЛА 3

1) Первые три или четыре цифры – номер серии. Он характеризует конструктивно-технологическое деление и состоит из двух частей:

первая цифра дает деление по технологии изготовления: 1, 5, 7 – это полупроводниковые ИМС ( 7 – это бескорпусные ИС); 2, 4, 6, 8 – это ГИМС; 3 – прочие (пленочные) ИМС.

Две или три следующие цифры означают порядковый номер разработки ИМС (от 0 до 999).

2) две буквы – это функциональное назначение ИМС. Например, УД – операционный усилитель; ПС – аналоговый перемножитель; ЛА – логический элемент «И-НЕ»; ЛЕ – логический элемент «ИЛИ-НЕ»; ЕН – линейный стабилизатор напряжения; ЕП – Импульсный стабилизатор напряжения.

3) Третий элемент – две цифры. Это порядковый номер разработки в данной серии.

4) Четвертый элемент и буква. Она характеризует деление по параметрическим группам.

Иногда перед условным обозначением стоит буква «К», это значит микросхема широкого применения, если буквы нет, то это ИС специального назначения.

Иногда перед условным обозначением стоят две буквы – они указывают тип корпуса. Например:

КМ – тип корпуса

КР – пластмассовый корпус

КМ – керамо-металлический

КЕ – металло-полимерный

Усилители электрических сигналов. Структурная схема. Параметры и хар-ки

Существует ряд технических задач, когда слабомощный источник сигнала оказывается неспособным управлять исполнительным устройством (нагрузкой). Для решения этих задач используют усилители электрических сигналов. Их размещают между источником сигнала и нагрузкой и они увеличивают входной сигнал в К>1-раз.

Под усилителем понимают устройство, в котором сравнительно маломощный входной сигнал управляет передачей гораздо большей мощности от источника питания (ИП) в нагрузку (Rн). Обобщенная схема включения усилителя приведена на рис. .

Слева вход усилителя (выводы 1-11), а справа выход (2-21), к нему подключена нагрузка

Основные параметры и характеристики усилителя

Входное сопротивление, в общем случае величина комплексная.

Выходное сопротивление; 3. Коэффициент усиления; В зависимости от характеристики физической величины на входе и выходе различают следующие коэффициенты усиления: а) коэффициент усиления по напряжению; б) коэффициент усиления по току; в) коэффициент усиления по мощности.

Коэффициент усиления – это относительная безразмерная величина. При воздействии на усилитель гармонического сигнала коэффициент усиления оказывается зависящим от частоты. Эта зависимость, характеризуются частотной характеристикой коэффициента усиления.

Она является комплексной функцией от частоты:

Система условных обозначений отечественных интегральных микросхем

Система условных обозначений отечественных интегральных микросхем

Система условных обозначений современных типов интегральных микросхем установлена ОСТ 11 073.915-2000. В основу системы обозначений положен буквенно-цифровой код.

Первый элемент – цифра, обозначающая группу интегральной микросхемы по конструктивно-технологическому исполнению:

  • 1,5,6,7 – полупроводниковые микросхемы;
  • 2,4,8 – гибридные микросхемы;
  • 3 – прочие (пленочные, керамические и т.д.)

Второй элемент – две или три цифры (от 01 до 99 или от 001 до 999), указывающие на порядковый номер разработки данной серии микросхем.

Третий элемент – две буквы, обозначающие функциональную подгруппу и вид микросхемы.

А Формирователи:

  • АА – адресные;
  • АГ – импульсов прямоугольной формы;
  • АИ – временных интервалов (таймеры);
  • АН – напряжения;
  • АП – прочие;
  • АР – разрядные;
  • АТ – тока;
  • АФ – импульсов специальной формы.

Б Базовые кристаллы:

  • БА – аналоговые;
  • БК – комбинированные;
  • БП – прочие;
  • БЦ – цифровые.

В Схемы вычислительных устройств:

  • ВА – схемы сопряжения с магистралью;
  • ВБ – схемы синхронизации;
  • ВВ – схемы управления вводом – выводом;
  • ВГ – контроллеры;
  • ВЕ – однокристальные микро-ЭВМ;
  • ВК – комбинированные схемы;
  • ВМ – микропроцессоры, сопроцессоры;
  • ВН – схемы управления прерыванием;
  • ВП – прочие;
  • ВС – микропроцессорные секции;
  • ВТ – схемы управления памятью;
  • ВУ – схемы микропрограммного управления;
  • ВХ – микрокалькуляторы;
  • ВЦ – процессоры цифровой обработки сигналов;
  • ВЮ – контроллеры с аналоговыми входами и выходами;
  • ВЯ – процессоры цифровой обработки сигналов с аналоговыми входами и выходами.

Г Генераторы сигналов:

  • ГГ – прямоугольных сигналов;
  • ГЛ – линейно – изменяющихся сигналов;
  • ГМ – шума;
  • ГН – программируемые;
  • ГП – прочие;
  • ГС – гармонических сигналов;
  • ГФ –  сигналов специальной формы.

Д Детекторы:

  • ДА – амплитудные;
  • ДИ – импульсные;
  • ДП – прочие;
  • ДС – частотные;
  • ДФ – фазовые.

Е Схемы источников вторичного питания:

  • ЕА – стабилизаторы напряжения непрерывные фиксированные однополярные асимметричные;
  • ЕВ – выпрямители;
  • ЕГ – стабилизаторы напряжения непрерывные регулируемые отрицательной полярности;
  • ЕД- стабилизаторы напряжения непрерывные фиксированные двухполярные симметричные;
  • ЕИ –стабилизаторы напряжения непрерывные фиксированные отрицательной полярности;
  • ЕК – стабилизаторы напряжения импульсные;
  • ЕЛ- стабилизаторы напряжения непрерывные фиксированные двухполярные асимметричные;
  • ЕН – стабилизаторы напряжения непрерывные;
  • ЕП – прочие;
  • ЕР- стабилизаторы напряжения непрерывные регулируемые положительной полярности;
  • ЕС – источники вторичного питания;
  • ЕТ – стабилизаторы тока;
  • ЕУ – устройства управления импульсными стабилизаторами напряжения.

И Схемы цифровых устройств:

  • ИА – арифметико – логические устройства;
  • ИВ – шифраторы;
  • ИД – дешифраторы;
  • ИЕ – счетчики;
  • ИК – комбинированные;
  • ИЛ – полусумматоры;
  • ИМ – сумматоры;
  • ИН – приемники, передатчики, приемо-передатчики;
  • ИП – прочие;
  • ИР – регистры;
  • ИФ – функциональные расширители.

К Коммутаторы и ключи:

  • КН – напряжения;
  • КП – прочие;
  • КТ – тока.

Л Логические элементы:

  • ЛА – И-НЕ;
  • ЛБ – И-НЕ/ИЛИ-НЕ;
  • ЛД – расширители;
  • ЛЕ – ИЛИ-НЕ;
  • ЛИ – И;
  • ЛК – И-ИЛИ-НЕ/И-ИЛИ;
  • ЛЛ – ИЛИ;
  • ЛМ – ИЛИ-НЕ (ИЛИ);
  • ЛН – НЕ;
  • ЛП – прочие;
  • ЛР – И-ИЛИ-НЕ;
  • ЛС – И-ИЛИ.

М Модуляторы:

  • МА – амплитудные;
  • MИ – импульсные;
  • MП – прочие;
  • MС – частотные;
  • MФ – фазовые.

Н Наборы элементов:

  • НД – диодов;
  • НЕ – конденсаторов;
  • НК – комбинированные;
  • НП – прочие;
  • НР – резисторов;
  • НТ – транзисторов;
  • НФ – функциональные.

П Преобразователи:

  • ПА – цифро – аналоговые;
  • ПВ – аналого – цифровые;
  • ПД – длительности (импульсов);
  • ПК – делители частоты аналоговые;
  • ПЛ – синтезаторы частоты;
  • ПН – напряжения;
  • ПП – прочие;
  • ПР – код – код;
  • ПС – частоты;
  • ПУ – уровня (согласователи);
  • ПФ – функциональные;
  • ПЦ – делители частоты цифровые.

Р Запоминающие устройства:

  • РА – ассоциативные запоминающие устройства;
  • РВ – матрицы постоянных запоминающих устройств;
  • РГ – ОЗУ регистрового типа;
  • РД – Динамические ОЗУ
  • РЕ – ПЗУ масочные;
  • РК – ОЗУ многопортовые;
  • РМ – матрицы ОЗУ;
  • РН – Энергозависимые статические ЗУ с хранением информации при отключении питания;
  • РП – прочие
  • РУ – ОЗУ;
  • РР – ПЗУ с многократным электрическим перепрограммированием и параллельным вводом/выводом;
  • РС- ПЗУ с возможностью многократного электрического перепрограммирования с последовательным вводом/выводом;
  • РТ – ПЗУ с возможностью однократного программирования;
  • РУ- Статические оперативные запоминающие устройства;
  • РФ – ПЗУ с ультрафиолетовым стиранием и электрической записью информации;
  • РЦ – запоминающие устройства на ЦМД.

С Схемы сравнения:

  • CА – компараторы напряжения;
  • CВ – временные;
  • СК – амплитудные;
  • CП – прочие;
  • CС – частотные;
  • СЦ – цифровые.

Т Триггеры:

  • ТВ – Универсальный (типа J-K);
  • ТД – динамические;
  • ТК – комбинированные (типов D-T, R-S-T и т.п.);
  • ТЛ – Шмита;
  • ТМ – с задержкой (типа D);
  • ТП – прочие;
  • ТР – с раздельным запуском (типа R-S);
  • ТТ – счетные (типа Т).

У Усилители:

  • УБ – инструментальные;
  • УВ – высокой частоты;
  • УГ – малошумящие;
  • УД – операционные;
  • УЕ – повторители;
  • УИ – импульсные;
  • УК – широкополосные;
  • УЛ – считывания и воспроизведения;
  • УМ – индикации;
  • УН – низкой частоты;
  • УП – прочие;
  • УР – промежуточной частоты;
  • УС – дифференциальные;
  • УТ – постоянного тока.

Ф Фильтры:

  • ФА – адаптивные цифровые;
  • ФБ – полосовые;
  • ФВ – верхних частот;
  • ФМ – программируемые;
  • ФН – нижних частот;
  • ФП – прочие;
  • ФР – режекторные;
  • ФУ – универсальные.

Х Многофункциональные устройства:

  • ХА – аналоговые;
  • ХБ- для радио, телевидения, магнитофонов, дисплеев;
  • ХВ- для автоэлектроники;
  • ХД- для коммуникационной аппаратуры;
  • ХИ – аналоговые матрицы;
  • ХК -комбинированные;
  • ХЛ – цифровые;
  • ХП – прочие;
  • ХР- для бытовых приборов;
  • ХС- программируемые логические микросхемы;
  • ХХ- силовой электроники.

Ц Фоточувствительные схемы с зарядовой связью:

  • ЦЛ – линейные;
  • ЦМ – матричные;
  • ЦП – прочие.

Ч Преобразователи физических величин и компоненты датчиков:

  • ЧВ – влажности;
  • ЧГ – газов;
  • ЧД – давления;
  • ЧИ – ионизирующих излучений;
  • ЧМ – механических перемещений;
  • ЧП – прочие;
  • ЧТ – температуры;
  • ЧЭ – электромагнитного поля.

Э Схемы задержки:

  • ЭМ – пассивные;
  • ЭП – прочие;
  • ЭР – активные.

Четвертый элемент – число, обозначающее порядковый номер разработки микросхемы определенного функционального назначения в конкретной серии. Одна или две цифры.

Следующий элемент в обозначении указывает на отличие микросхем одного типа по температурному диапазону или электрическим характеристикам (быстродействию, допуску на напряжение питания, значению выходных токов и т.п.). Одна буква русского алфавита от А до М, за исключением букв З и Й.

Шестой элемент – тип корпуса. Буква указывает на номер типа корпуса в соответствии с ГОСТ 17467-88.

  • П – корпус 1-го типа (SIP, ZIP, КТ 26/27/28);
  • Р – корпус 2-го типа (DIP);
  • С – корпус 3-го типа (CAN);
  • Т – корпус 4-го типа (SOP, QFP, QFJ, планарные);
  • У – корпус 5-го типа (микрокорпуса), ранее начинались с буквы «Н»;
  • Ф – корпус 6-го типа (PGA);
  • Н – бескорпусное исполнение. 

Для бескорпусных микросхем (обозначаются буквой Н) цифра указывает на модификацию конструкторского исполнения. Если микросхема выпускается только в одной разновидности корпуса данного типа, то цифра может отсутствовать.

  • 1 – с гибкими выводами;
  • 2 – на полиамидном носителе с ленточными выводами;
  • 3 – с жесткими выводами, только для ИС широкого применения;
  • 4 – на общей пластине, неразделенные;
  • 5 – на общей пластине, разделенные без потери ориентировки (например, наклеенные на пленку), только для ИС широкого применения.

Обсудить на форумеКорпус – это часть конструкции микросхемы, предназначенная для защиты от внешних воздействий и для соединения с внешними электрическими цепями посредством выводов. Корпуса стандартизованы для упрощения технологического процесса изготовления изделий Условное обозначение ИС российского производства представляет собой цифро-буквенный код, содержащий информацию о функциональном назначении микросхемы, числе подобных типов и типономиналов ИС в серии, номере серии, технологии изготовления, материале Порой в загашниках попадаются трансформаторы и дроссели, на которых кроме, так называемого – децимального номера, ничего больше нет. Маркировка полупроводников весьма разнообразна, поэтому здесь рассмотрим обозначение этих самых сокращенно обозначаемых ПП. Микросхемы памяти выпускаются в самых разнообразных корпусах. Довольно длительное время наиболее популярными корпусами для статической памяти являлись DIP-корпуса (Dual In-line Package), у которых выводы расположены в два ряда по бокам корпуса.  VCC, VEE, VDD, VSS – откуда такие обозначения? Обозначения цепей питания проистекают из области анализа схем на транзисторах, где, обычно, рассматривается схема с транзистором и резисторами подключенными к нему. Напряжение (относительно земли) на

Условные обозначения отечественных интегральных схем

Система условных обозначений отечественных интегральных микросхем

Want create site? Find Free WordPress Themes and plugins.

Система условных обозначений современных типов интегральных микросхем установлена ОСТ 11073915-80. В основу системы обозначений положен буквенно-цифровой код.

Первый элемент — цифра, обозначающая группу интегральной микросхемы по конструктивно-технологическому исполнению:

1,5,6,7 — полупроводниковые ИМС; 2,4,8 — гибридные;

3 — прочие (пленочные, вакуумные, керамические).

Второй элемент — две или три цифры (от 01 до 99 или от 001 до 999), указывающие на порядковый номер разработки данной серии ИМС

Первый и второй элемент образуют серию микросхем.

Третий элемент — две буквы, обозначающие функциональную подгруппу и вид микросхемы

ВМ — микропроцессоры;ВЕ — микро-ЭВМ;ВУ — устройства микропрограммного управления; ВР — функциональные расширители; ВТ — устройства управления памятью; ВИ — времязадающие устройства; ВЖ — специализированные устройства; ВХ — микрокалькуляторы; ВФ — функциональные преобразователи информации; ВК — комбинированные устройства; ВВ — устройства управления вводом — выводом; ВГ — контроллеры; ВН — устройства управления прерыванием;ВП — прочие.ВС — микропроцессорные секции; ВА — устройства сопряжения с магистралью;ВБ — устройства синхронизации;
РМ — матрицы ОЗУ; РВ — матрицы ПЗУ; РУ — ОЗУ; РТ — ПЗУ с возможностью однократного программирования ; РЕ — ПЗУ (масочные); РР — ПЗУ с возможностью многократного электрического перепрограммирования; РФ — ПЗУ с ультрафиолетовым стиранием и электрической записью информации; РЦ — запоминающие устройства на ЦМД; РА — ассоциативные запоминающие устройства;РП — прочие.

ДИ — импульсные;ДА — амплитудные; ДС — частотные;ДП — прочие.ДФ — фазовые;
ГС — гармонических;ГМ — шума; ГГ — прямоугольной формы; ГФ — специальной формы; ГЛ — линейно — изменяющихся;ГП — прочие.

ЕМ — преобразователи;ЕН — стабилизаторы напряжения непрерывные; ЕВ — выпрямители; ЕУ — устройства управления импульсными стабилизаторами напряжения; ЕС — источники вторичного питания; ЕК — стабилизаторы напряжения импульсные; ЕТ — стабилизаторы тока;ЕП — прочие;
ЛИ — И; ЛН — НЕ; ЛЛ — ИЛИ; ЛА — И-НЕ; ЛС — И-ИЛИ; ЛК — И-ИЛИ-НЕ (И-ИЛИ); ЛР — И-ИЛИ-НЕ; ЛМ — ИЛИ-НЕ (ИЛИ); ЛД — расширители; ЛЕ — ИЛИ-НЕ; ЛБ — И-НЕ / ИЛИ-НЕ;ЛП — прочие.

ХА — аналоговые; ХК -комбинированные; ХТ — комбинированные матрицы; ХЛ — цифровые; ХИ — аналоговые матрицы ХМ — цифровые матрицы;ХИ — прочие.
CВ — временные; CА — амплитудные; CФ — фазовые; CС — частотные;CП — прочие.

НТ — транзисторов; НД — диодов; НЕ — конденсаторов; НР — резисторов; НФ — функциональные; НК — комбинированные;НП — прочие.
ТЛ — Шмитта; ТТ — Т — триггер; ТД — динамические; ТМ — D — триггер; ТВ — JK — триггер; ТК — комбинированные; ТР — RS — триггер;ТП — прочие.

ПС — частоты; ПД — длительности (импульсов); ПФ — фазы; ПМ — мощности; ПН — напряжения; ПЕ — делители частоты аналоговые; ПУ — уровня (согласователи); ПЦ — делители частоты цифровые; ПА — цифро — аналоговые; ПЛ — синтезаторы частоты; ПР — код — код; ПВ — аналого — цифровые;ПП — прочие.
УТ — постоянного тока; УЕ — повторители; УИ — импульсные; УР — промежуточной частоты; УК — широкополосные; УН — низкой частоты; УМ — индикации; УВ — высокой частоты; УС — дифференциальные; УЛ — считывания и воспроизведения; УД — операционные;УП — прочие.

МА — амплитудные; MС — частотные; MФ — фазовые; MИ — импульсные;MП — прочие.
ФР — режекторные; ФН — нижних частот; ФЕ — полосовые; ФВ — верхних частот;ФП — прочие.

КН — напряжения; КТ — тока;КП — прочие;
БР — активные; БМ — пассивные;БП — прочие.

АФ — импульсов специальной формы; АГ — импульсов прямоугольной формы; АР — разрядных токов; АА — адресных токов;АП — прочие.
ИР — регистры; ИЛ — полусумматоры; ИД — дешифраторы ИМ — сумматоры; ИЕ — счетчики; ; ИК — комбинированные ; ИВ — шифраторы; ИА — арифметико — логические устройства;ИП — прочие.

ЦЛ — линейные; ЦМ — матричные;ЦП — прочие.

Четвертый элемент — число, обозначающее порядковый номер разработки микросхемы в серии

В обозначение также могут быть введены дополнительные символы (от А до Я), определяющие допуски на разброс параметров микросхем и т. п.

Перед первым элементом обозначения могут стоять следующие буквы: А — пластмассовый корпус четвертого типа; Э — на экспорт (шаг выводов 2,54 и 1,27 мм); Р — пластмассовый корпус второго типа; К — для аппаратуры широкого применения; М — керамический, металло- или стеклокерамический корпус второго типа; Е — металлополимерный корпус второго типа; И — стеклокерамический корпус четвертого типа

Н — кристаллоноситель.

Для бескорпусных интегральных микросхем перед номером серии может добавляться буква Б, а после нее, или после дополнительного буквенного обозначения через дефис указывается цифра, характеризующая модификацию конструктивного исполнения:

1 — с гибкими выводами; 2 — с ленточными выводами; 3 — с жесткими выводами; 4 — на общей пластине (неразделенные); 5 — разделенные без потери ориентировки (например, наклеенные на пленку);

6 — с контактными площадками без выводов (кристалл).

Did you find apk for android? You can find new Free Android Games and apps.

Предыдущая запись

Условные обозначения ЭРЭ

Следующая запись

Электронный латр

Классификация и система условных обозначений интегральных микросхем

Система условных обозначений отечественных интегральных микросхем

ВВЕДЕНИЕ

Последние годы характеризуются бурным развитием интегральной микроэлектроники и конструирования радиоэлектронной аппаратуры (РЭА) на интегральных микросхемах (ИМС).

РЭА на ИМС обладает повышенной экономичностью и надежностью, имеет небольшие Габаритные размеры и вес.

Для конструирования, правильной эксплуатации и ремонта РЭА на новой элементной базе необходимы основные справочные данные о выпускаемых отечественных ИМС.

Следует отметить, что в различных периодических изданиях имеется значительное количество сведений о конструировании РЭА на ИМС. Систематизировать этот материал — значит исключить ненужные эксперименты, направить исследования по пути изыскания новых направлений использования тех или иных ИМС. Такую цель и преследовали авторы данного справочника.

Помимо основных электрических параметров для большинства наиболее сложных аналоговых интегральных микросхем приводятся типовые схемы включения или некоторые простые законченные устройства, а также самые важные из характеристик — графические зависимости параметров.

Учитывая ограниченный объем справочника, авторы не помещали в нем принципиальные схемы сложных ИМС, а увеличили число примеров, связанных с практическим использованием интегральных микросхем. Продиктовано это тем, что информацию о принципиальных схемах ИМС найти гораздо легче, чем о сфере их применения.

Структура изложения справочного материала обусловливается назначением книги.

В справочник не вошли данные об аналоговых ИМС, используемых для построения цифровых устройств, а также ряд микросхем, предназначенных для применения в аналого-цифровых преобразователях, об аналоговых бескорпусиых ИМС и аналоговых ИМС, выполненных по пленочной технологии, представляющих собой наборы различным образом соединенных резисторов.

Интегральные микросхемы (ИМС) подразделяются на два основных вида: аналоговые и цифровые. Аналоговые предназначены для преобразования и обработки сигналов, изменяющихся по закону непрерывной функции.

Частным их видом являются линейные ИМС (с линейной характеристикой).

К аналоговым относятся ИМС, выполняющие функции усилителей, генераторов сигналов различной формы, преобразователей (детекторы, модуляторы, демодуляторы, преобразователи частоты) и др.

В состав некоторых серий аналоговых ИМС входят интегральные микросхемы, выполняющие вспомогательные функции — стабилизаторы напряжения и тока, выпрямители, ключи и др., а также наборы транзисторов, диодов и других элементов, используемых при конструировании микроэлектронных устройств.

В соответствии с ГОСТом 18682—73 обозначение ИМС состоит из четырех элементов. Первый из них — цифра, означающая группу ИМС.

Она определяется конструктивно-технологическим исполнением и включает следующие цифры: 1, 5, 6, 7 — полупроводниковые ИМС; 2, 4, 8 — гибридные; 3 — прочие (пленочные, вакуумные, керамические).

Второй элемент — две или три цифры (от 01 до 99 или от 001 до 999), указывающие на порядковый номер разработки серии ИМС.

Первый и второй элементы образуют серию ИМС. Под серией понимают совокупность типов ИМС, которые могут выполнять различные функции, имеют единое конструктивно-технологическое исполнение и предназначены для совместного применения.

Третий элемент — две буквы, соответствующие подгруппе и виду ИМС, определяющие основное функциональное назначение интегральной микросхемы (табл. 1). Четвертый элемент — число, обозначающее условный (или порядковый в данной серии) номер разработки ИМС по функциональному признаку.

Пример обозначения ИМС по ГОСТу 18682—73 приведен на с. 5.

До введения ГОСТа 18682—73 после обозначения конструктивно- технологической группы ставился буквенный шифр функционального назначения ИМС, а затем порядковый номер разработки определенной серии и условный номер разработки ИМС по функциональному признаку. При этом буквенные обозначения некоторых ИМС отличались от установленных ГОСТом 18682—73.

Пример обозначения ИМС до введения ГОСТа 18682—73 приведен на с. 5.

При необходимости разработчик ИМС имеет право после условного номера разработки дополнительно поместить букву (от А до Я), означающую отличие электрических параметров интегральных микросхем одного типа (например, 140УД1А, 140УД1Б). Конечная буква при маркировке

1 Автоколебательные мультивибраторы, блокинг-генераторы и др. ‘ Усилители напряжения или мощности (в том числе малошу- мящие).

8 Независимо от частоты.

4 Ждущие мультивибраторы, блокинг-генераторы и др. 6 Схемы, выполняющие одновременно несколько функций.

может быть заменена точкой. Цвет ее указывается в технических условиях (ТУ) на ИМС конкретных типов.

В начале обозначения ИМС, используемых в устройствах, имеющих широкое применение, добавляется буква «К» (например, КН0УД1А).

Как правило, ИМС с буквой «К» отличаются от интегральных микросхем, не имеющих ее, не только диапазоном температур, при которых они могут быть использованы, но и численными значениями некоторых параметров.

Система условных обозначений отечественных ис

Система условных обозначений отечественных интегральных микросхем

Классификация ИС

ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ

Интегральные микросхемы (интегральные схемы – ИС) – ϶ᴛᴏ функционально и конструктивно законченные компоненты РЭС, изготовленные методами интегрально-групповой технологии.

Интегральная схема (ИС) это изделие микроэлектроники, выполняющее различные функции и выполненная по групповой технологии.

По конструктивно-технологическому исполнению ИС делятся в соответствии со схемой на рис. 1.

Полупроводниковые ИС – ϶ᴛᴏ микросхема, всœе элементы и межэлементные соединœения которой выполнены в объёме и на поверхности полупроводника.

Пленочные ИС изготавливаются нанесением проводящих, резистивных и диэлектрических пленок на подложки. Вариантами пленочных являются тонкопленочные и толстопленочные микросхемы.

Тонкопленочными называются ИС, элементы которых изготавливаются преимущественно методом вакуумной технологии, толщина пленок от 10…20 нм до нескольких мкм.

Толстопленочными называются ИС с толщиной пленок 10…70 мкм, изготавливаемые методом трафаретной печати.

Рис. 4.1 – Конструктивно-технологическая классификация ИС

Учитывая зависимость отфункционального назначения интегральные микросхемы делятся на следующие виды: аналоговые, цифровые и аналого-цифровые.

Аналоговые микросхемы предназначены для преобразования и обработки сигналов, изменяющихся по закону непрерывной функции. Частным случаем этих микросхем является микросхема с линœейной характеристикой, линœейная микросхема.

С помощью цифровых микросхем преобразуются, обрабатываются сигналы, изменяющиеся по закону дискретной функции. Частным случаем цифровых микросхем являются логические микросхемы, выполняющие операции с двоичным кодом, которые описываются законами логической алгебры.

Микросхемы исходя из назначения делятся на микросхемы широкого применения и микросхемы специального назначения.

Обычно микросхемы разрабатываются и производятся сериями. Серия ИС – совокупность микросхем, имеющих единый конструктивно-технологический базис и согласованных между собой по электрическим параметрам.

Учитывая зависимость отуровня сложности, которая определяется количеством элементов в ИС, микросхемы делятся на изделия малой, средней, большой и сверхбольшой степеней интеграции. В связи с этим в настоящее время используются следующие обозначения:

для малой и средней уровней сложности – ИС;

для схем большой степени сложности – БИС (большая интегральная схема;

соответственно, для очень сложных микросхем – СБИС (сверхбольшая интегральная схема).

Примером БИС и СБИС являются микросхемы микропроцессора (МП) и микроконтроллера (МК).

Микропроцессор определœен как программно-управляемое устройство, осуществляющее процесс обработки цифровой информации и управления им.

Микроконтроллер (от англ. ʼʼcontrolʼʼ – управление, регулирование) – это по сути тот же микропроцессор, но в наибольшей степени ориентированный на выполнение управляющих функций в различных устройствах и системах.

Учитывая зависимость отметодологии проектирования микросхемы бывают: общего назначения, заказныеи полузаказные.

Заказная микросхема – микросхема, разработанная на базе стандартных и (или) специально созданных элементов узлов по функциональной схеме заказчика предназначена для определœенной радиоэлектронной аппаратуры (РЭА).

Полузаказная интегральная микросхема – микросхема, разработанная на базе базовых кристаллов (в том числе матричных).

Система условных обозначений современных типов интегральных микросхем установлена ОСТ 11073915-80. В основу системы обозначений положен буквенно-цифровой код.

Первый элемент – цифра, обозначающая группу интегральной микросхемы по конструктивно-технологическому исполнению:

1,5,6,7 – полупроводниковые ИМС;

2,4,8 – гибридные;

3 – прочие (пленочные, вакуумные, керамические).

Второй элемент – две или три цифры (от 01 до 99 или от 001 до 999), указывающие на порядковый номер разработки данной серии ИМС. Первый и второй элемент образуют серию микросхем.

Третий элемент – две буквы, обозначающие функциональную подгруппу и вид микросхемы.

ПРИМЕРЫ:

1. вычислительные устройства:

ВЕ – микро-ЭВМ;

ВМ – микропроцессоры;

ВХ – микрокалькуляторы;

ВГ – контроллеры и др.

2. Генераторы сигналов:

ГС – гармонических;

ГГ – прямоугольной формы и др.

3. Запоминающие устройства:

РУ – ОЗУ;

РЕ – ПЗУ (масочные);

РТ – ПЗУ с возможностью однократного программирования ;

РР – ПЗУ с возможностью многократного электрического перепрограммирования;

4. Источники вторичного питания:

ЕН – стабилизаторы напряжения непрерывные;

ЕК – стабилизаторы напряжения импульсные;

ЕУ – устройства управления импульсными стабилизаторами напряжения и др.

5. Коммутаторы и ключи:

КТ – тока;

КН – напряжения;

КП – прочие и др.

6. Логические элементы:

ЛИ – схема И;

ЛЛ – схема ИЛИ;

ЛН – схема НЕ;

ЛА – схема И-НЕ;

ЛЕ – схема ИЛИ-НЕ;

7. Многофункциональные устройства:

ХА – аналоговые;

ХЛ – цифровые;

ХК –комбинированные и др.

8. Наборы элементов:

НД – диодов;

НТ – транзисторов;

НР – резисторов;

НЕ – конденсаторов и др.

9. Преобразователи:

ПА – цифро – аналоговые;

ПВ – аналого – цифровые и др.

10. Триггеры:

ТЛ – Шмитта;

ТМ – D – триггер;

ТВ – JK – триггер и др.

11. Усилители:

УН – низкой частоты;

УД – операционные;

УС – дифференциальные и др.

12. Формирователи:

АГ – импульсов прямоугольной формы и др.

13. Цифровые устройства:

ИР – регистры;

ИМ – сумматоры;

ИЕ – счетчики;

ИД – дешифраторы и др.

Четвертый элемент – число, обозначающее порядковый номер разработки микросхемы в серии. В обозначение также бывают введены дополнительные символы (от А до Я), определяющие допуски на разброс параметров микросхем и т.п. Перед первым элементом обозначения могут стоять следующие буквы:

К – для аппаратуры широкого применения;

Э – на экспорт (шаг выводов выполнен по дюймовой системе измерения);

Р – пластмассовый корпус второго типа;

М – керамический, металло- или стеклокерамический корпус второго типа;

Е – металлополимерный корпус второго типа;

А – пластмассовый корпус четвертого типа;

И – стеклокерамический корпус четвертого типа;

Н – кристаллоноситель.

Для бескорпусных интегральных микросхем перед номером серии может добавляться буква Б, а после нее, или после дополнительного буквенного обозначения через дефис указывается цифра, характеризующая модификацию конструктивного исполнения:

1 – с гибкими выводами;

2 – с ленточными выводами;

3 – с жесткими выводами;

4 – на общей пластинœе (неразделœенные кристаллы на пластинœе);

5 – разделœенные без потери ориентировки (к примеру, наклеенные на пленку);

6 – с контактными площадками без выводов (кристалл).

Радиосхемы. – Маркировка отечественных микросхем

Система условных обозначений отечественных интегральных микросхем

 материалы в категории

 Система условных обозначений современных типов интегральных микросхем установлен ГОСТ 11073915-80. В основу системы обозначений положен буквенно-цифровой код.

Первый элемент – цифра, обозначающая группу интегральной микросхемы по конструктивно-технологическому исполнению:

1,5,6,7 – полупроводниковые ИМС;

2,4,8 – гибридные;

3 – прочие (пленочные, вакуумные, керамические).

Второй элемент – две или три цифры (от 01 до 99 или от 001 до 999), указывающие на порядковый номер разработки данной серии ИМС.

Первый и второй элемент образуют серию микросхем.

Третий элемент – две буквы, обозначающие функциональную подгруппу и вид микросхемы.

Вычислительные устройства

ВЕ – микро-ЭВМ;
ВМ – микропроцессоры;
ВС – микропроцессорные секции;
ВУ – устройства микропрограммного управления;
ВР – функциональные расширители;
ВБ – устройства синхронизации;
ВН – устройства управления прерыванием;
ВВ – устройства управления вводом – выводом;
ВТ – устройства управления памятью;
ВФ – функциональные преобразователи информации;
ВА – устройства сопряжения с магистралью;
ВИ – времязадающие устройства;
ВХ – микрокалькуляторы;
ВГ – контроллеры;
ВК – комбинированные устройства;
ВЖ – специализированные устройства;
ВП – прочие.

Генераторы сигналов

ГС – гармонических;
ГГ – прямоугольной формы;
ГЛ – линейно – изменяющихся;
ГМ – шума;
ГФ – специальной формы;
ГП – прочие.

Детекторы

ДА – амплитудные;
ДИ – импульсные;
ДС – частотные;
ДФ – фазовые;
ДП – прочие.

Запоминающие устройства

РМ – матрицы ОЗУ;
РУ – ОЗУ;
РВ – матрицы ПЗУ;
РЕ – ПЗУ (масочные);
РТ – ПЗУ с возможностью однократного программирования ;
РР – ПЗУ с возможностью многократного электрического перепрограммирования;
РФ – ПЗУ с ультрафиолетовым стиранием и электрической записью информации;
РА – ассоциативные запоминающие устройства;
РЦ – запоминающие устройства на ЦМД;
РП – прочие.

Источники вторичного питания

ЕМ – преобразователи;
ЕВ – выпрямители;
ЕН – стабилизаторы напряжения непрерывные;
ЕТ – стабилизаторы тока;
ЕК – стабилизаторы напряжения импульсные;
ЕУ – устройства управления импульсными стабилизаторами напряжения;
ЕС – источники вторичного питания;
ЕП – прочие;

Коммутаторы и ключи

КТ – тока;
КН – напряжения;
КП – прочие;

Логические элементы

ЛИ – И;
ЛЛ – ИЛИ;
ЛН – НЕ;
ЛС – И-ИЛИ;
ЛА – И-НЕ;
ЛЕ – ИЛИ-НЕ;
ЛР – И-ИЛИ-НЕ;
ЛК – И-ИЛИ-НЕ (И-ИЛИ);
ЛМ – ИЛИ-НЕ (ИЛИ);
ЛБ – И-НЕ / ИЛИ-НЕ;
ЛД – расширители;
ЛП – прочие.

Многофункциональные устройства

ХА – аналоговые;
ХЛ – цифровые;
ХК -комбинированные;
ХМ – цифровые матрицы;
ХИ – аналоговые матрицы
ХТ – комбинированные матрицы;
ХИ – прочие.

Модуляторы

МА – амплитудные;
– импульсные;
– частотные;
– фазовые;
– прочие.

Наборы элементов

НД – диодов;
НТ – транзисторов;
НР – резисторов;
НЕ – конденсаторов;
НК – комбинированные;
НФ – функциональные;
НП – прочие.

Преобразователи

ПС – частоты;
ПФ – фазы;
ПД – длительности (импульсов);
ПН – напряжения;
ПМ – мощности;
ПУ – уровня (согласователи);
ПЛ – синтезаторы частоты;
ПЕ – делители частоты аналоговые;
ПЦ – делители частоты цифровые;
ПА – цифро – аналоговые;
ПВ – аналого – цифровые;
ПР – код – код;
ПП – прочие.

Триггеры

ТЛ – Шмитта;
ТД – динамические;
ТТ – Т – триггер;
ТР – RS – триггер;
ТМ – D – триггер;
ТВ – JK – триггер;
ТК – комбинированные;
ТП – прочие.

Усилители

УТ – постоянного тока;
УИ – импульсные;
УЕ – повторители;
УВ – высокой частоты;
УР – промежуточной частоты;
УН – низкой частоты;
УК – широкополосные;
УЛ – считывания и воспроизведения;
УМ – индикации;
УД – операционные;
УС – дифференциальные;
УП – прочие.

Устройства задержки

БМ – пассивные;
БР – активные;
БП – прочие.

Устройства селекции и сравнения

– амплитудные;
– временные;
– частотные;
– фазовые;
– прочие.

Фильтры

ФВ – верхних частот;
ФН – нижних частот;
ФЕ – полосовые;
ФР – режекторные;
ФП – прочие.

Формирователи

АГ – импульсов прямоугольной формы;
АФ – импульсов специальной формы;
АА – адресных токов;
АР – разрядных токов;
АП – прочие.

Фоточувствительные устройства с зарядовой связью

ЦМ – матричные;
ЦЛ – линейные;
ЦП – прочие.

Цифровые устройства

ИР – регистры;
ИМ – сумматоры;
ИЛ – полусумматоры;
ИЕ – счетчики;
ИД – дешифраторы
ИК – комбинированные
ИВ – шифраторы;
ИА – арифметико – логические устройства;
ИП – прочие.

Четвертый элемент – число, обозначающее порядковый номер разработки микросхемы в серии

В обозначение также могут быть введены дополнительные символы (от А до Я), определяющие допуски на разброс параметров микросхем и т. п.

Перед первым элементом обозначения могут стоять следующие буквы:

К – для аппаратуры широкого применения;
Э – на экспорт (шаг выводов 2,54 и 1,27 мм);
Р – пластмассовый корпус второго типа;
М – керамический, металло- или стеклокерамический корпус второго типа;
Е – металлополимерный корпус второго типа;
А – пластмассовый корпус четвертого типа;
И – стеклокерамический корпус четвертого типа
Н – кристаллоноситель.

Для бескорпусных интегральных микросхем перед номером серии может добавляться буква Б, а после нее, или после дополнительного буквенного обозначения через дефис указывается цифра, характеризующая модификацию конструктивного исполнения

1 – с гибкими выводами;
2 – с ленточными выводами;
3 – с жесткими выводами;
4 – на общей пластине (неразделенные);
5 – разделенные без потери ориентировки (например, наклеенные на пленку);
6 – с контактными площадками без выводов (кристалл).

Условные обозначения интегральных схем

Система условных обозначений отечественных интегральных микросхем

Условные обозначения интегральных схем 

Обозначение ИС состоит из четырех элементов:

  • первый эле­мент — цифра, указывающая конструктивно-технологическую группу (цифры 1, 5, 7 указывают, что ИС полупроводниковые; 2, 4, б и 8 — гибридные, а 3 — пленочные, керамические, вакуумные и др.);
  • вто­рой элемент — две-три цифры порядкового номера разработки, присвоенные данной серии (в результате первых два элемента со­ставляют три-четыре цифры, определяющие полный номер серии ИС);
  • третий элемент — две буквы: первая обозначает подгруппу, вторая — вид микросхемы по функциональному назначению;
  • четвер­тый элемент — порядковый номер разработки ИС по функциональ­ному признаку в данной серии. Этот элемент может состоять из од­ной или нескольких цифр.

  Иногда в конце условного обозначения до­бавляют буквы от А до Я, которые характеризуют технологический разброс электрических параметров (модификацию) данного типо-номинала или определяют тип корпуса (например, буква П означа­ет пластмассовый корпус, а М — керамический).

Перед условным обозначением микросхем, используемых в устройствах широкого применения, ставят букву К (например, К140УД11).

Если после буквы К перед номером серии стоит буква М (например, КМ155ЛА1), это означает, что вся данная серия выпускается в керамическом кор­пусе, если же после буквы К ставится буква Б (например, КБ524РП1А-4), хо серия выпускается в бескорпусном варианте, без присоединения выводов к кристаллу микросхемы. Экспортный ва­риант микросхемы (с шагом выводов корпуса 2,54 мм) обозначают буквой Э перед буквой К (например, ЭК561ЛС2).

В обозначении бескорпусных ИС через дефис вводится цифра от 1 до 6 (например, 703ЛБ1-2), характеризующая модификацию конструктивного исполнения. Цифры означают:

  • 1 — микросхема с гибкими выводами (с числом выводов до 16);
  • 2 — с ленточными (паучковыми) выводами, в том числе «а полиамидной пленке;
  • 3 — с жесткими выводами;
  • 4 — на общей пластине (неразделенные);
  • 5 — разделенные без потери ориентировки (например, наклеенные на пленку);
  • 6 — с контактными площадками без выводов (кристалл).

Для микросхем, разработанных до 1973 г., обозначение конст­руктивно-технологической группы отделялось от порядкового номера серии буквенным шифром функции,Старые и новые условные обозначения раз­личаются буквами, указывающими подгруппы и виды.

По характеру выполняемых функций в аппаратуре ИС подраз­деляют на подгруппы (генераторы, детекторы, ключи, модуляторы, усилители) и виды (преобразователи напряжения, частоты, фазы и т. д.).

Система условных обозначений современных типов интегральных микросхем установлена ОСТ 11073915-80

Система условных обозначений отечественных интегральных микросхем

 

    ВЕ – микро-ЭВМ;

    ВМ – микропроцессоры;
    ВС – микропроцессорные секции;
    ВУ – устройства микропрограммного управления;
    ВР – функциональные расширители;
    ВБ – устройства синхронизации;
    ВН – устройства управления прерыванием;
    ВВ – устройства управления вводом – выводом;
    ВТ – устройства управления памятью;
    ВФ – функциональные преобразователи информации;
    ВА – устройства сопряжения с магистралью;
    ВИ – времязадающие устройства;
    ВХ – микрокалькуляторы;
    ВГ – контроллеры;
    ВК – комбинированные устройства;
    ВЖ – специализированные устройства;
    ВП – прочие.

    ГС – гармонических;

    ГГ – прямоугольной формы;
    ГЛ – линейно – изменяющихся;
    ГМ – шума;
    ГФ – специальной формы;
    ГП – прочие.

    ДА – амплитудные;

    ДИ – импульсные;
    ДС – частотные;
    ДФ – фазовые;
    ДП – прочие.

    РМ – матрицы ОЗУ;

    РУ – ОЗУ;
    РВ – матрицы ПЗУ;
    РЕ – ПЗУ (масочные);
    РТ – ПЗУ с возможностью однократного программирования ;
    РР – ПЗУ с возможностью многократного электрического перепрограммирования;
    РФ – ПЗУ с ультрафиолетовым стиранием и электрической записью информации;
    РА – ассоциативные запоминающие устройства;
    РЦ – запоминающие устройства на ЦМД;
    РП – прочие.

    ЕМ – преобразователи;

    ЕВ – выпрямители;
    ЕН – стабилизаторы напряжения непрерывные;
    ЕТ – стабилизаторы тока;
    ЕК – стабилизаторы напряжения импульсные;
    ЕУ – устройства управления импульсными стабилизаторами напряжения;
    ЕС – источники вторичного питания;
    ЕП – прочие;

    КТ – тока;

    КН – напряжения;
    КП – прочие;

    ЛИ – И;

    ЛЛ – ИЛИ;
    ЛН – НЕ;
    ЛС – И-ИЛИ;
    ЛА – И-НЕ;
    ЛЕ – ИЛИ-НЕ;
    ЛР – И-ИЛИ-НЕ;
    ЛК – И-ИЛИ-НЕ (И-ИЛИ);
    ЛМ – ИЛИ-НЕ (ИЛИ);
    ЛБ – И-НЕ / ИЛИ-НЕ;
    ЛД – расширители;
    ЛП – прочие.
    ХА – аналоговые;
    ХЛ – цифровые;
    ХК -комбинированные;
    ХМ – цифровые матрицы;
    ХИ – аналоговые матрицы
    ХТ – комбинированные матрицы;
    ХИ – прочие.

    МА – амплитудные;

    – импульсные;
    – частотные;
    – фазовые;
    – прочие.

    НД – диодов;

    НТ – транзисторов;
    НР – резисторов;
    НЕ – конденсаторов;
    НК – комбинированные;
    НФ – функциональные;
    НП – прочие.

    ПС – частоты;

    ПФ – фазы;
    ПД – длительности (импульсов);
    ПН – напряжения;
    ПМ – мощности;
    ПУ – уровня (согласователи);
    ПЛ – синтезаторы частоты;
    ПЕ – делители частоты аналоговые;
    ПЦ – делители частоты цифровые;
    ПА – цифро – аналоговые;
    ПВ – аналого – цифровые;
    ПР – код – код;
    ПП – прочие.
    ТЛ – Шмитта;
    ТД – динамические;
    ТТ – Т – триггер;
    ТР – RS – триггер;
    ТМ – D – триггер;
    ТВ – JK – триггер;
    ТК – комбинированные;
    ТП – прочие.
    УТ – постоянного тока;
    УИ – импульсные;
    УЕ – повторители;
    УВ – высокой частоты;
    УР – промежуточной частоты;
    УН – низкой частоты;
    УК – широкополосные;
    УЛ – считывания и воспроизведения;
    УМ – индикации;
    УД – операционные;
    УС – дифференциальные;
    УП – прочие.

    БМ – пассивные;

    БР – активные;
    БП – прочие.
    – амплитудные;
    – временные;
    – частотные;
    – фазовые;
    – прочие.
    ФВ – верхних частот;
    ФН – нижних частот;
    ФЕ – полосовые;
    ФР – режекторные;
    ФП – прочие.

    АГ – импульсов прямоугольной формы;

    АФ – импульсов специальной формы;
    АА – адресных токов;
    АР – разрядных токов;
    АП – прочие.

    ЦМ – матричные;

    ЦЛ – линейные;
    ЦП – прочие.
    ИР – регистры;
    ИМ – сумматоры;
    ИЛ – полусумматоры;
    ИЕ – счетчики;
    ИД – дешифраторы;
    ИК – комбинированные;
    ИВ – шифраторы;
    ИА – арифметико – логические устройства;
    ИП – прочие.

– число, обозначающее порядковый номер разработки микросхемы в серии.

В обозначение также могут быть введены дополнительные символы (от А до Я), определяющие допуски на разброс параметров микросхем и т. п. Перед первым элементом обозначения могут стоять следующие буквы:

    К – для аппаратуры широкого применения;

    Э – на экспорт (шаг выводов 2,54 и 1,27 мм);
    Р – пластмассовый корпус второго типа;
    М – керамический, металло- или стеклокерамический корпус второго типа;
    Е – металлополимерный корпус второго типа;
    А – пластмассовый корпус четвертого типа;
    И – стеклокерамический корпус четвертого типа;
    Н – кристаллоноситель. Для бескорпусных интегральных микросхем перед номером серии может добавляться буква Б, а после нее, или после дополнительного буквенного обозначения через дефис указывается цифра, характеризующая модификацию конструктивного исполнения:

    1 – с гибкими выводами;

    2 – с ленточными выводами;
    3 – с жесткими выводами;
    4 – на общей пластине (неразделенные);
    5 – разделенные без потери ориентировки (например, наклеенные на пленку);
    6 – с контактными площадками без выводов (кристалл).

Микросхема 580ВИ53

Система условных обозначений отечественных интегральных микросхем

Перечень и количество драгоценных металлов которые можно извлечь из микросхемы 580ВИ53.

Информация из справочников производителей микросхем. Справочник содержания ценных металлов (золота, серебра, платины и МПГ) в электрической микросхеме а также его содержания которые используются (или использовались) при производстве интегральных микросхем.

Содержание драгоценных металлов в микросхеме 580ВИ53.
Золото: 0,04269 грамм.
Серебро: 0,04928 грамм.
Платина: 0 грамм.
Палладий: 0 грамм.
На основании информации: .

микросхема – интегральная (микро)схема (ИС, ИМС, м/сх, англ. integrated circuit, IC, microcircuit), чип, микрочип (англ.

microchip, silicon chip, chip — тонкая пластинка — первоначально термин относился к пластинке кристалла микросхемы) — микроэлектронное устройство — электронная схема произвольной сложности (кристалл), изготовленная на полупроводниковой подложке (пластине или плёнке) и помещённая в неразборный корпус, или без такового, в случае вхождения в состав микросборки.

Часто под интегральной схемой (ИС) понимают собственно кристалл или плёнку с электронной схемой, а под микросхемой (МС, чипом) — ИС, заключённую в корпус. В то же время выражение чип-компоненты означает «компоненты для поверхностного монтажа» (в отличие от компонентов для пайки в отверстия на плате).

характеристика микросхем:

Логический — логическая схема (логические инверторы, элементы ИЛИ-НЕ, И-НЕ и т. п.). Схемо- и системотехнический уровень — схемо- и системотехнические схемы (триггеры, компараторы, шифраторы, дешифраторы, АЛУ и т. п.).

Электрический — принципиальная электрическая схема (транзисторы, конденсаторы, резисторы и т. п.). Физический — методы реализации одного транзистора (или небольшой группы) в виде легированных зон на кристалле.

Топологический — топологические фотошаблоны для производства.

Программный уровень — позволяет программисту программировать (для ПЛИС, микроконтроллеров и микропроцессоров) разрабатываемую модель используя виртуальную схему.

параметры микросхем

В зависимости от степени интеграции применяются следующие названия интегральных схем:

малая интегральная схема (МИС) — до 100 элементов в кристалле, средняя интегральная схема (СИС) — до 1000 элементов в кристалле, большая интегральная схема (БИС) — до 10 тыс. элементов в кристалле,

сверхбольшая интегральная схема (СБИС) — более 10 тыс. элементов в кристалле.

Ранее использовались также теперь устаревшие названия: ультрабольшая интегральная схема (УБИС) — до 1 млрд элементов в кристалле и гигабольшая интегральная схема (ГБИС) — более 1 млрд элементов в кристалле, сейчас (2013 г.) названия «УБИС» и «ГБИС» практически не используются, и все микросхемы с числом элементов более 10 тыс. относят к классу СБИС.

назначение микросхем Аналоговые. Цифровые.

Аналого-цифровые.

Аналоговые микросхемы — входные и выходные сигналы изменяются по закону непрерывной функции в диапазоне от положительного до отрицательного напряжения питания.

Цифровые микросхемы — входные и выходные сигналы могут иметь два значения: логический ноль или логическая единица, каждому из которых соответствует определённый диапазон напряжения.

Например, для микросхем типа ТТЛ при напряжении питания +5 В диапазон напряжения 0…0,4 В соответствует логическому нулю, а диапазон 2,4—5 В — логической единице; для микросхем ЭСЛ-логики при напряжении питания −5,2 В диапазон от −0,8 до −1,03 В — логической единице, а от −1,6 до −1,75 В — логическому нулю.

Аналого-цифровые микросхемы совмещают в себе формы цифровой и аналоговой обработки сигналов, например, усилитель сигнала и аналого-цифровой преобразователь.

устройство микросхемы Полупроводниковая микросхема — все элементы и межэлементные соединения выполнены на одном полупроводниковом кристалле (например, кремния, германия, арсенида галлия, оксид гафния).

Плёночная интегральная микросхема — все элементы и межэлементные соединения выполнены в виде плёнок: толстоплёночная интегральная схема; тонкоплёночная интегральная схема.

Гибридная микросхема (часто называемая микросборкой), содержит несколько бескорпусных диодов, бескорпусных транзисторов и(или) других электронных активных компонентов. Также микросборка может включать в себя бескорпусные интегральные микросхемы.

Пассивные компоненты микросборки (резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности) обычно изготавливаются методами тонкоплёночной или толстоплёночной технологий на общей, обычно керамической подложке гибридной микросхемы. Вся подложка с компонентами помещается в единый герметизированный корпус.

Смешанная микросхема — кроме полупроводникового кристалла содержит тонкоплёночные (толстоплёночные) пассивные элементы, размещённые на поверхности кристалла.

топология микросхем
Топология интегральной микросхемы – зафиксированное на материальном носителе пространственно-геометрическое расположение совокупности элементов интегральной микросхемы и связей между ними.

При этом интегральной микросхемой является микроэлектронное изделие окончательной или промежуточной формы, которое предназначено для выполнения функций электронной схемы, элементы и связи которого нераздельно сформированы в объеме и (или) на поверхности материала, на основе которого изготовлено такое изделие

Все о микросхемах

обозначение микросхем

Система условных обозначений отечественных интегральных микросхем

Система условных обозначений современных типов интегральных микросхем установлена ОСТ 11 073.915-2000. В основу системы обозначений положен буквенно-цифровой код.

Первый элемент – цифра, обозначающая группу интегральной микросхемы по конструктивно-технологическому исполнению:

1,5,6,7 – полупроводниковые микросхемы; 2,4,8 – гибридные микросхемы;

3 – прочие (пленочные, керамические и т.д.)

Второй элемент – две или три цифры (от 01 до 99 или от 001 до 999), указывающие на порядковый номер разработки данной серии микросхем.

Третий элемент – две буквы, обозначающие функциональную подгруппу и вид микросхемы.

А Формирователи:

АА – адресные; АГ – импульсов прямоугольной формы; АИ – временных интервалов (таймеры); АН – напряжения; АП – прочие; АР – разрядные; АТ – тока;

АФ – импульсов специальной формы.

Б Базовые кристаллы:

БА – аналоговые; БК – комбинированные; БП – прочие;

БЦ – цифровые.

В Схемы вычислительных устройств:

ВА – схемы сопряжения с магистралью; ВБ – схемы синхронизации; ВВ – схемы управления вводом – выводом; ВГ – контроллеры; ВЕ – однокристальные микро-ЭВМ; ВК – комбинированные схемы; ВМ – микропроцессоры, сопроцессоры; ВН – схемы управления прерыванием; ВП – прочие; ВС – микропроцессорные секции; ВТ – схемы управления памятью; ВУ – схемы микропрограммного управления; ВХ – микрокалькуляторы; ВЦ – процессоры цифровой обработки сигналов; ВЮ – контроллеры с аналоговыми входами и выходами;

ВЯ – процессоры цифровой обработки сигналов с аналоговыми входами и выходами.

Г Генераторы сигналов:

ГГ – прямоугольных сигналов; ГЛ – линейно – изменяющихся сигналов; ГМ – шума; ГН – программируемые; ГП – прочие; ГС – гармонических сигналов;

ГФ – сигналов специальной формы.

Д Детекторы:

ДА – амплитудные; ДИ – импульсные; ДП – прочие; ДС – частотные;

ДФ – фазовые.

Е Схемы источников вторичного питания:

ЕА – стабилизаторы напряжения непрерывные фиксированные однополярные асимметричные; ЕВ – выпрямители; ЕГ – стабилизаторы напряжения непрерывные регулируемые отрицательной полярности; ЕД- стабилизаторы напряжения непрерывные фиксированные двухполярные симметричные; ЕИ –стабилизаторы напряжения непрерывные фиксированные отрицательной полярности; ЕК – стабилизаторы напряжения импульсные; ЕЛ- стабилизаторы напряжения непрерывные фиксированные двухполярные асимметричные; ЕН – стабилизаторы напряжения непрерывные; ЕП – прочие; ЕР- стабилизаторы напряжения непрерывные регулируемые положительной полярности; ЕС – источники вторичного питания; ЕТ – стабилизаторы тока;

ЕУ – устройства управления импульсными стабилизаторами напряжения.

И Схемы цифровых устройств:

ИА – арифметико – логические устройства; ИВ – шифраторы; ИД – дешифраторы; ИЕ – счетчики; ИК – комбинированные; ИЛ – полусумматоры; ИМ – сумматоры; ИН – приемники, передатчики, приемо-передатчики; ИП – прочие; ИР – регистры;

ИФ – функциональные расширители.

К Коммутаторы и ключи:

КН – напряжения; КП – прочие;

КТ – тока.

Л Логические элементы:

ЛА – И-НЕ; ЛБ – И-НЕ/ИЛИ-НЕ; ЛД – расширители; ЛЕ – ИЛИ-НЕ; ЛИ – И; ЛК – И-ИЛИ-НЕ/И-ИЛИ; ЛЛ – ИЛИ; ЛМ – ИЛИ-НЕ (ИЛИ); ЛН – НЕ; ЛП – прочие; ЛР – И-ИЛИ-НЕ;

ЛС – И-ИЛИ.

М Модуляторы:

МА – амплитудные; MИ – импульсные; MП – прочие; MС – частотные;

MФ – фазовые.

Н Наборы элементов:

НД – диодов; НЕ – конденсаторов; НК – комбинированные; НП – прочие; НР – резисторов; НТ – транзисторов;

НФ – функциональные.

П Преобразователи:

ПА – цифро – аналоговые; ПВ – аналого – цифровые; ПД – длительности (импульсов); ПК – делители частоты аналоговые; ПЛ – синтезаторы частоты; ПН – напряжения; ПП – прочие; ПР – код – код; ПС – частоты; ПУ – уровня (согласователи); ПФ – функциональные;

ПЦ – делители частоты цифровые.

Р Запоминающие устройства:

РА – ассоциативные запоминающие устройства; РВ – матрицы постоянных запоминающих устройств; РГ – ОЗУ регистрового типа; РД – Динамические ОЗУ РЕ – ПЗУ масочные; РК – ОЗУ многопортовые; РМ – матрицы ОЗУ; РН – Энергозависимые статические ЗУ с хранением информации при отключении питания; РП – прочие РУ – ОЗУ; РР – ПЗУ с многократным электрическим перепрограммированием и параллельным вводом/выводом; РС- ПЗУ с возможностью многократного электрического перепрограммирования с последовательным вводом/выводом; РТ – ПЗУ с возможностью однократного программирования; РУ- Статические оперативные запоминающие устройства; РФ – ПЗУ с ультрафиолетовым стиранием и электрической записью информации;

РЦ – запоминающие устройства на ЦМД.

С Схемы сравнения:

CА – компараторы напряжения; CВ – временные; СК – амплитудные; CП – прочие; CС – частотные;

СЦ – цифровые.

Т Триггеры:

ТВ – Универсальный (типа J-K); ТД – динамические; ТК – комбинированные (типов D-T, R-S-T и т.п.); ТЛ – Шмита; ТМ – с задержкой (типа D); ТП – прочие; ТР – с раздельным запуском (типа R-S);

ТТ – счетные (типа Т).

У Усилители:

УБ – инструментальные; УВ – высокой частоты; УГ – малошумящие; УД – операционные; УЕ – повторители; УИ – импульсные; УК – широкополосные; УЛ – считывания и воспроизведения; УМ – индикации; УН – низкой частоты; УП – прочие; УР – промежуточной частоты; УС – дифференциальные;

УТ – постоянного тока.

Ф Фильтры:

ФА – адаптивные цифровые; ФБ – полосовые; ФВ – верхних частот; ФМ – программируемые; ФН – нижних частот; ФП – прочие; ФР – режекторные;

ФУ – универсальные.

Х Многофункциональные устройства:

ХА – аналоговые; ХБ- для радио, телевидения, магнитофонов, дисплеев; ХВ- для автоэлектроники; ХД- для коммуникационной аппаратуры; ХИ – аналоговые матрицы; ХК -комбинированные; ХЛ – цифровые; ХП – прочие; ХР- для бытовых приборов; ХС- программируемые логические микросхемы;

ХХ- силовой электроники.

Ц Фоточувствительные схемы с зарядовой связью:

ЦЛ – линейные; ЦМ – матричные;

ЦП – прочие.

Ч Преобразователи физических величин и компоненты датчиков:

ЧВ – влажности; ЧГ – газов; ЧД – давления; ЧИ – ионизирующих излучений; ЧМ – механических перемещений; ЧП – прочие; ЧТ – температуры;

ЧЭ – электромагнитного поля.

Э Схемы задержки:

ЭМ – пассивные; ЭП – прочие;

ЭР – активные.

Четвертый элемент – число, обозначающее порядковый номер разработки микросхемы определенного функционального назначения в конкретной серии. Одна или две цифры.

Следующий элемент в обозначении указывает на отличие микросхем одного типа по температурному диапазону или электрическим характеристикам (быстродействию, допуску на напряжение питания, значению выходных токов и т.п.). Одна буква русского алфавита от А до М, за исключением букв З и Й.

Шестой элемент – тип корпуса. Буква указывает на номер типа корпуса в соответствии с ГОСТ 17467-88.

П – корпус 1-го типа (SIP, ZIP, КТ 26/27/28); Р – корпус 2-го типа (DIP); С – корпус 3-го типа (CAN); Т – корпус 4-го типа (SOP, QFP, QFJ, планарные); У – корпус 5-го типа (микрокорпуса), ранее начинались с буквы «Н»; Ф – корпус 6-го типа (PGA);

Н – бескорпусное исполнение.

Для бескорпусных микросхем (обозначаются буквой Н) цифра указывает на модификацию конструкторского исполнения. Если микросхема выпускается только в одной разновидности корпуса данного типа, то цифра может отсутствовать.

1 – с гибкими выводами; 2 – на полиамидном носителе с ленточными выводами; 3 – с жесткими выводами, только для ИС широкого применения; 4 – на общей пластине, неразделенные;

5 – на общей пластине, разделенные без потери ориентировки (например, наклеенные на пленку), только для ИС широкого применения.

Аналоговые и цифровые микросхемы выпускаются сериями. Серия — это группа микросхем, имеющих единое конструктивно-технологическое исполнение и предназначенные для совместного применения. Микросхемы одной серии, как правило, имеют одинаковые напряжения источников питания, согласованы по входным и выходным сопротивлениям, уровням сигналов.

Корпуса микросхем

Микросхемы выпускаются в двух конструктивных вариантах — корпусном и бескорпусном.

Корпус микросхемы — это несущая система и часть конструкции, предназначенная для защиты от внешних воздействий и для электрического соединения с внешними цепями посредством выводов. Корпуса стандартизованы для упрощения технологии изготовления готовых изделий.

Бескорпусная микросхема — это полупроводниковый кристалл, предназначенный для монтажа в гибридную микросхему или микросборку (возможен непосредственный монтаж на печатную плату).

описание микросхем

Микросхема – это электронная схема на полупроводниковом кристалле или пленке, заключенная в корпус. Микросхемы составляют основную часть любого компьютера или ноутбука. Кроме того комплектующие компьютеров и ноутбуков: процессор, оперативная память, ПЗУ, чипсет и остальные, – тоже являются микросхемами.

Микросхемы бывают цифровыми, аналоговыми и аналогово-цифровыми. Предназначение аналоговых микросхем – преобразование и обработка непрерывных сигналов. Цифровые микросхемы преобразовывают и обрабатывают сигналы, выраженные в цифровом коде. Цифровые микросхемы имеют преимущество перед аналоговыми из-за меньшего энергопотребления и большей помехоустойчивости.

Аналого-цифровые микросхемы представляют собой гибрид двух видов микросхем, они получили большое распространение и в настоящее время являются наиболее используемыми микросхемами при создании электронной техники.

Цифровые и аналоговые микросхемы выпускаются и разрабатываются изготовителями сериями. Серия – это совокупность видов микросхем, выполняющих разные функции, но предназначенных для совместного использования.

Каждая серия имеет свою комплектность и содержит определенное количество микросхем. Наиболее перспективные и востребованные серии микросхем производители впоследствии расширяют и дополняют новыми разработками.

По технологии изготовления микросхемы разделяют на пленочные, полупроводниковые и гибридные. У пленочных микросхем все элементы и соединения между ними сделаны в виде пленок, у полупроводниковых микросхем – все элементы и соединения выполнены на полупроводниковом кристалле. Гибридные микросхемы помимо кристалла включают в себя различные электронные компоненты, заключенные в один корпус.

Производят микросхемы в двух вариантах: без корпуса и в корпусе. Микросхемы без корпуса используются при монтаже в различных микросборках. Корпус микросхемы защищает ее от различных внешних воздействий. Соединяются микросхемы в корпусе с нужными узлами с помощью встроенных выводов.

Характеристики: 580ВИ53:

Купить или продать а также цены на микросхемы 580ВИ53 (куплю микросхемы, микросхемы купить, аналог микросхемы, корпуса микросхем,):

Оставьте отзыв или бесплатное объявление о покупке или продаже разъемов (куплю микросхемы, микросхемы купить, аналог микросхемы, корпуса микросхем,

Справочник содержания драгоценных металлов. Содержание вторичных драгоценных металлов (золота, серебра, платины, палладия и других ценных металлов) в автомобилях, средствах связи, приборах, реле, конденсаторах, радиостанциях, компьютерах, разъемах, розетках и т.д

Интегральные микросхемы (стр. 1 из 5)

Система условных обозначений отечественных интегральных микросхем

(ИМС): общие сведения, классификация, условно-графическое обозначение, маркировка [3].

В зависимости от технологии изготовления интегральные микросхемы могут быть полупроводниковыми, пленочными или гибридными.

Полупроводниковая микросхема -микросхема, все элементы и межэлементные соединения которой выполнены в объеме и на поверхности полупроводника.

Пленочная микросхема – микросхема, все элементы и межэлементные соединения которой выполнены только в виде пленок проводящих и диэлектрических материалов. Вариантами пленочных являются тонкопленочные и толстопленочные микросхемы.

Различие между тонкопленочными и толстопленочными микросхемами может быть количественным и качественным. К тонкопленочным условно относят микросхемы с толщиной пленок менее 1 мкм, а к толстопленочным – микросхемы с толщиной пленок свыше 1 мкм.

Гибридная микросхема – микросхема, содержащая кроме элементов простые и сложные компоненты (например, кристаллы микросхемы полупроводниковых микросхем). Одним из видов гибридной микросхемы является многокристальная микросхема.

В зависимости от функционального назначения интегральные микросхемы делятся на аналоговые и цифровые. Аналоговые микросхемы предназначены для преобразования и обработки сигналов, изменяющихся по закону непрерывной функции.

Частным случаем этих микросхем является микросхема с линейной характеристикой, линейная микросхема. С помощью цифровых микросхем преобразуются, обрабатываются сигналы, изменяющиеся по закону дискретной функции.

Частным случаем цифровых микросхем являются логические микросхемы, выполняющие операции с двоичным кодом, которые описываются законами логической алгебры.

Минимальный состав комплекта интегральных микросхем, необходимый для решения определенного круга аппаратурных задач, называется базовым.

После появления микропроцессоров были введены дополнительные термины. Микропроцессор определен как программно-управляемое устройство, осуществляющее процесс обработки цифровой информации и управления им. Это устройство изготовлено на основе одной или нескольких больших интегральных схем (БИС).

Микропроцессорной названа микросхема, выполняющая функцию МП или его часть. Совокупность этих и других микросхем, совместимых по архитектуре, конструктивному исполнению и электрическим параметрам, называется микропроцессорным комплектом.

В последние годы в классификацию ИС вводятся новые понятия: микросхемы общего назначения, заказные и полузаказные.

Заказная микросхема – микросхема, разработанная на основе стандартных и (или) специально созданных элементов узлов по функциональной схеме заказчика предназначена для определенной радиоэлектронной аппаратуры (РЭА).

Полузаказная интегральная микросхема – микросхема, разработанная на основе базовых кристаллов ( в том числе матричных).

Система условных обозначений микросхем. Аналоговые и цифровые интегральные микросхемы разрабатываются и выпускаются предприятиями – изготовителями в виде серий.

Каждая серия отличается степенью комплектности и содержит несколько микросхем, которые, в свою очередь, подразделяются на типономиналы.

К серии микросхем относят совокупность типов микросхем, которые могут выполнять различные функции, но имеют единое конструктивно-технологическое исполнение и предназначены для совместного применения. Как правило, с течением времени состав перспективных серий расширяется.

Тип интегральной микросхемы – интегральная микросхема конкретного функционального назначения и определенного конструктивно-технологического и схемотехнического решения, имеющая свое условное обозначение. Под типономиналом интегральной микросхемы понимается микросхема конкретного типа, отличающаяся от других микросхем того же типа одним или несколькими параметрами.

Группа типов микросхем – совокупность типов микросхем в пределах одной серии, имеющих аналогичное функциональное назначение и принцип действия, свойства которых описываются одинаковым или же близким составом электрических параметров.

Условные обозначения микросхем

Все многообразие выпускаемых серий микросхем согласно принятой системе условных обозначений по конструктивно-технологическому исполнению делится на три группы: полупроводниковые, гибридные, прочие.

К последней группе относят пленочные микросхемы, которые в настоящее время выпускаются в ограниченном количестве, а также вакуумные и керамические.

Указанным группам микросхем в системе условных обозначений присвоены следующие цифры: 1, 5, 7 – полупроводниковые (обозначение 7 присвоено бескорпусным микросхемам); 2, 4, 8 – гибридные; 3 – прочие микросхемы.

По характеру выполняемых функций микросхемы подразделяются на подгруппы (генераторы, модуляторы, триггеры, усилители, логические схемы и др.) и виды (преобразователи частоты, фазы, длительности, напряжения и др.). Классификация наиболее популярных микросхем по функциональному назначению приведена в таблице 6.1.

По принятой системе, обозначение микросхемы должно состоять из четырех элементов. Первый элемент – цифра, соответствующая конструктивно-технологической группе. Второй элемент – две-три цифры, присвоенные данной серии как порядковый номер разработки.

Таким образом, первые два элемента составляют три-четыре цифры, определяющие полный номер серии микросхемы. Третий элемент – две буквы, соответствующие подгруппе и виду (табл. 6.1).

Четвертый элемент – порядковый номер разработки микросхемы в данной серии, в которой может быть несколько одинаковых по функциональному признаку микросхем. Он может состоять как из одной цифры, так и из нескольких.

В качестве примера рассмотрим условное обозначение полупроводниковой микросхемы серии 1554ИР22. Из условного обозначения следует, что эта микросхема – регистр с порядковым номером 554 и номером разработки микросхемы в данной серии по функциональному признаку 22 выполнена по полупроводниковой технологии.

Таблица 1

Пример условного обозначения полупроводниковой микросхемы: обозначение – ИЕ (счетчик) с порядковым номером серии 554 и номером разработки микросхемы в данной серии по функциональному признаку 7. Полное обозначение микросхемы 1554ИЕ7.

В последнее время при четырехзначном номере серии первую цифру порядкового номера серии устанавливают в зависимости от функционального назначения микросхем, входящих в серию.

Например, цифра 0 определяет, что данная серия микросхем предназначена для работы в составе бытовой радиоэлектронной аппаратуры.

Цифра 1 ставится на аналоговых микросхемах, цифра 4 – микросхемам ОУ, цифра 5 – цифровым микросхемам, цифра 6 – серии микросхем памяти, цифра 8 – сериям МП.

Если в конце условного обозначения стоит буква, то она определяет технологический разброс электрических параметров данного типономинала.

На микросхемах, используемых в устройствах широкого применения, в начале обозначения ставится буква К, например: К1533ИР22.

Для характеристики материала и типа корпуса перед цифровым обозначением серии могут быть добавлены следующие буквы: Р – пластмассовый корпус типа ДИП; М – металлокерамический корпус типа ДИП и т.д.

Основные электрические параметры микросхем

Цифровые микросхемы развивались в следующей последовательности: резистивно-транзисторная логика (РТЛ), диодно-транзисторная логика (ДТЛ), транзисторно-транзисторная логика (ТТЛ), эмиттерно-связанная логика (ЭСЛ), транзисторно-транзисторная логика с диодами Шотки (ТТЛШ), интегрально-инжекционная логика (И2 Л). В этих определениях слово “логика” подразумевает понятие “электронный ключ”.

Все перечисленные выше логические микросхемы выполнены на базе биполярных транзисторов. Наряду с ними широкое распространение получили цифровые микросхемы на МОП – структурах (на транзисторах p- и n-типов с обогащенным каналом, КМОП – схемы на дополняющих транзисторах).

Серии РТЛ, РЕТЛ промышленностью в настоящее время не выпускаются, но еще используются только для комплектации серийной РЭА.

Наиболее широкое распространение в современной аппаратуре получили серии микросхем ТТЛШ, ЭСЛ и схемы на КМОП-структурах, так как они отличаются более высоким уровнем интеграции и обладают большим функциональным разнообразием.

Можно выделить три этапа развития микросхем, входящих в состав стандартных серий для создания цифровых устройств различного назначения.

I этап (1969 – 1975 гг.). В состав стандартных серий входили микросхемы малой степени интеграции, выполняющие простейшие логические функции, например серия К155.

II этап (1976 – 1980 гг.). Появились серии с улучшенными характеристиками, такие как 531, 555, 500, К561, К1561 и другие, что привело к ограниченному применению серий 131, 158, 137, 187.

III этап (1981 – 1987 гг.). Разработка микросхем большой степени интеграции, микропроцессорных комплектов, запоминающих устройств, полузаказных БИС на основе матричных кристаллов.

Параметры микросхем конкретной серии в основном определяются параметрами базовых элементов логики. К основным параметрам относятся: быстродействие; потребляемая мощность (Рпот ); помехоустойчивость Uпом ; коэффициент разветвления по выходу (нагрузочная способность) Краз ; коэффициент объединения по входу Коб .

Быстродействие определяется динамическими параметрами цифровых микросхем, к которым относятся: t1,0 – время перехода сигнала на выходе микросхемы из состояния логической “1” в состояние логического “0”; t0,1 -время перехода из состояния низкого уровня в состояние высокого уровня; t1,0 здр – время задержки распространения при включении; t1,0 зд -время задержки включения; t0,1 здр – время задержки распространения при выключении; t0,1 зд – время задержки выключения; tздрср – среднее время задержки распространения сигнала; fр – рабочая частота. Среднее время задержки распространения tэдрср = 0,5(t1,0 здр + t0,1 здр ) является усредненным параметром быстродействия микросхемы, используемым при расчете временных характеристик последовательно включенных цифровых микросхем. На рис. 6.1 показаны уровни отсчета, определяющие параметры быстродействия цифровых микросхем.

Оцените статью
Просто о технологиях
Добавить комментарии

;-) :| :x :twisted: :smile: :shock: :sad: :roll: :razz: :oops: :o :mrgreen: :lol: :idea: :grin: :evil: :cry: :cool: :arrow: :???: :?: :!: